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TSMC/李駐日代表、TSMC米工場の技術は「台湾より2年半遅れ」 東京で半導体シンポの歓迎会

2025/10/14 19:05
13日の夕食会に出席した(右から)桜井よしこ氏、王美花元経済部長、萩生田光一衆院議員、李逸洋駐日代表、日本中華聯合総会の詹徳薫名誉総会長(駐日代表処提供)
13日の夕食会に出席した(右から)桜井よしこ氏、王美花元経済部長、萩生田光一衆院議員、李逸洋駐日代表、日本中華聯合総会の詹徳薫名誉総会長(駐日代表処提供)

(東京中央社)東京都内で14日、半導体分野の日台協力をテーマにしたシンポジウムが開かれた。13日夜に行われた歓迎夕食会で李逸洋(りいつよう)駐日代表(大使に相当)は、半導体受託製造世界最大手、台湾積体電路製造(TSMC)の米工場でのプロセス技術は、台湾に約2年半の遅れを取っていると述べた。

ラトニック米商務長官が先月、米メディアのインタビューで、台湾に半導体の米国内需要の半数を米国で生産し、米台の生産割合が50対50になるよう求める方針を明らかにしたのを念頭に置いた。

李氏はあいさつで、「50対50」の話題が注目を集めており、一部では「TSMCが『ASMC』になる」といった誤情報まで出回っていると指摘した上で、現在、TSMCの米工場で量産できるのは回路線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体までであり、2ナノメートル品の量産は早くても2027年末になると説明した。

一方、台湾では2ナノメートル品の量産が始まっている他、同社は1.4ナノメートル品を28年に量産開始する計画をしていると述べた。さらに、台湾では8千人を超える研究者を抱える世界最大規模の研究開発センターを設けて次世代プロセス技術の研究開発を進めているのに対し、米国の研究開発センターは主に保守や生産支援を担っているため、性質が大きく異なると語った。

その上で、台湾の技術面での優位性は極めて明確だと強調し、台湾は半導体の核心的技術を掌握しており、技術流出の懸念はないとした。台湾の海外投資は「基盤の移転」ではなく「国力の延伸」であるとし、今後もこの土台の上でさらなる発展を目指すと述べた。

シンポジウムはジャーナリストの桜井よしこ氏が理事長を務める国家基本問題研究所の主催で、台北市に本部を置くインド太平洋戦略シンクタンクが共催した。王美花(おうびか)元経済部長(経済相)や木原稔前防衛相が基調講演を行った。

(戴雅真/編集:田中宏樹)

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